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8008H–AVR–04/11
ATtiny48/88
programmed simultaneously. The programming algorithm for the EEPROM data memory is as
follows (refer to “Programming the Flash” on page 194 for details on Command, Address and
Data loading):
A: Load command “0001 0001”
G: Load address high byte (0x00 – 0xFF)
B: Load address low byte (0x00 – 0xFF)
C: Load data (0x00 – 0xFF)
E: Latch data (give PAGEL a positive pulse)
K: Repeat steps B, C, and E until the entire buffer is filled
L: Program EEPROM page:
– Set BS1 to “0”
–Give WR a negative pulse. This starts programming of the EEPROM page.
RDY/BSY goes low
– Wait until to RDY/BSY goes high before programming the next page (See Figure 21-
4 for signal waveforms)
EEPROM programming waveforms are illustrated in Figure 21-4, where XX means “don’t care”
and letters refer to the programming steps described above.
Figure 21-4. Programming the EEPROM Waveforms
21.2.6
Reading the Flash
The algorithm for reading the Flash memory is as follows (see “Programming the Flash” on page
194 for details on command and address loading):
A: Load command “0000 0010”
G: Load address high byte (0x00 – 0xFF)
B: Load address low byte (0x00 – 0xFF)
Set OE to “0”, and BS1 to “0”. The Flash word low byte can now be read at DATA
RDY/BSY
WR
OE
RESET +12V
PAGEL
BS2
0x11
ADDR. HIGH
DATA
ADDR. LOW
DATA
ADDR. LOW
DATA
XX
XA1
XA0
BS1
CLKI
XX
AG
B
C
E
B
C
E
L
K
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